IRF8788

Версия для печати

Технические характеристики IRF8788

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	24A
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.8 mOhm @ 24A, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Vgs(th) (Max) @ Id	2.35V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	66nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	5720pF @ 15V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.