NCP3065DR2G

Версия для печати

Технические характеристики NCP3065DR2G

Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Корпус	8-SOICN
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Напряжение питания	3 V ~ 40 V
Частота	250kHz
Тип (доп.)	High Brightness LED (HBLED)
Тип	Automotive
Число выходов	1
Internal Driver	Да
Топология	PWM, Step-Down (Buck), Step-Up (Boost)
Ограничение по току	Да
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Frequency	250kHz

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2N3906	Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	DC COMPONENTS
2N3906	Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	DIOTEC	9 800	2.79
2N3906	Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	OTHER
2N3906	Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	PHILIPS
2N3906	Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	MOTOROLA
2N3906	Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	NTE ELECTRONICS, INC	56
2N3906	Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
2N3906	Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	KEC AMERICA (USD)
2N3906	Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт		88	10.80
2N3906	Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	NTE
2N3906	Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	FAIRCHILD
2N3906	Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	MOTOROLA	266	9.69
2N3906	Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	ИНТЕГРАЛ	80	11.73
2N3906	Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	MULTICOMP
2N3906	Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	1
DB107	Диодный мост 1A, 1000V	DC COMPONENTS	1 939	13.25
DB107	Диодный мост 1A, 1000V		111	21.12
DB107	Диодный мост 1A, 1000V	MIC	2 233	8.20
DB107	Диодный мост 1A, 1000V	GALAXY
DB107	Диодный мост 1A, 1000V	Micro Commercial Co
DB107	Диодный мост 1A, 1000V	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
DB107	Диодный мост 1A, 1000V	КИТАЙ	8	30.60
DB107	Диодный мост 1A, 1000V	YJ	61 443	4.92
DB107	Диодный мост 1A, 1000V	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD	14	12.08
DB107	Диодный мост 1A, 1000V	KINGTRON
DB107	Диодный мост 1A, 1000V	---
DB107	Диодный мост 1A, 1000V	KINGTRONICS
DB107	Диодный мост 1A, 1000V	GALAXY ME
DB107	Диодный мост 1A, 1000V	KLS	2 401	6.14
DB107	Диодный мост 1A, 1000V	SUNTAN
DB107	Диодный мост 1A, 1000V	YANGJIE	30 040	5.62
DB107	Диодный мост 1A, 1000V	YANGJIE (YJ)
DB107	Диодный мост 1A, 1000V	HOTTECH	22 300	6.91
DB107	Диодный мост 1A, 1000V	WUXI XUYANG	3	10.66
DB107	Диодный мост 1A, 1000V	0.00
DB107	Диодный мост 1A, 1000V	SEP	8	4.10
DB107	Диодный мост 1A, 1000V	YIXING	8 000	3.92
DB107	Диодный мост 1A, 1000V	TRR	8 000	3.65
ICP-S1.2TN	Полупроводниковый предохранитель 1,2A 50V ICP-S SMD	ROHM
ICP-S1.2TN	Полупроводниковый предохранитель 1,2A 50V ICP-S SMD	BOURNS
ICP-S1.2TN	Полупроводниковый предохранитель 1,2A 50V ICP-S SMD	Rohm Semiconductor
MMSD4148T1G	Импульсный диод smd (Vr=100V, If=200mA, Ifm=500mA, trr=4ns, T=-55 to+150C)	ON SEMICONDUCTOR
MMSD4148T1G	Импульсный диод smd (Vr=100V, If=200mA, Ifm=500mA, trr=4ns, T=-55 to+150C)	ONS	4 400	8.86
MMSD4148T1G	Импульсный диод smd (Vr=100V, If=200mA, Ifm=500mA, trr=4ns, T=-55 to+150C)	ON SEMICONDUCTOR	2 529
MMSD4148T1G	Импульсный диод smd (Vr=100V, If=200mA, Ifm=500mA, trr=4ns, T=-55 to+150C)
MMSD4148T1G	Импульсный диод smd (Vr=100V, If=200mA, Ifm=500mA, trr=4ns, T=-55 to+150C)	ONSEMI	27 948	2.41
ZXSC400E6TA	Драйвер светодиода Uвх1.8-8,Uвых10.5 В, Iвых50 мА, SOT23-6	ZTX
ZXSC400E6TA	Драйвер светодиода Uвх1.8-8,Uвых10.5 В, Iвых50 мА, SOT23-6
ZXSC400E6TA	Драйвер светодиода Uвх1.8-8,Uвых10.5 В, Iвых50 мА, SOT23-6	Diodes/Zetex
ZXSC400E6TA	Драйвер светодиода Uвх1.8-8,Uвых10.5 В, Iвых50 мА, SOT23-6	DIODES
ZXSC400E6TA	Драйвер светодиода Uвх1.8-8,Uвых10.5 В, Iвых50 мА, SOT23-6	ZETEX

NCP3065DR2G

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Микросхемы

Питание

Драйверы светодиодов

С этим товаром покупают: