Версия для печати
Технические характеристики 25TTS12PBF

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)	45mA
Current - On State (It (RMS)) (Max)	25A
Current - On State (It (AV)) (Max)	16A
Voltage - On State (Vtm) (Max)	1.25V
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max)	2V
Voltage - Off State	1200V
SCR Type	Sensitive Gate
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Current - Hold (Ih) (Max)	100mA
Current - Off State (Max)	500µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)	350A @ 50Hz
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3 Full Pack
Корпус	TO-220AB Full-Pak

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Тиристоры

 » 

Тиристоры - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	FAIR
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	DC COMPONENTS	15 221	1.45
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	NXP
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	PHILIPS
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	DIOTEC	8 125	1.56
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	FAIRCHILD
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	GALAXY
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	FAIRCHILD
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	PHILIPS
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	Fairchild Semiconductor
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	КИТАЙ
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	MIC	4	1.19
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	MCC
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	NXP	5 698
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	VISHAY
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)		70 898	1.56  >100 шт.   0.78
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	YS
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	ONS
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	YJ	2 848	2.00  >100 шт.   1.00
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	GALAXY ME
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	KLS
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	SUNTAN
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	MIG	25 519	2.00  >100 шт.   1.00
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	PANJIT
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	ЛЕНТА/КАТУШКА
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	WUXI XUYANG	4 380	2.27
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	SEMTECH	41 523	1.94  >100 шт.   0.97
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	YANGJIE
		AP4525GEH		Сдвоенный P и N-канальный транзистор	APEC
		AP4525GEH		Сдвоенный P и N-канальный транзистор			284.80
		AP4525GEH		Сдвоенный P и N-канальный транзистор	КИТАЙ
		AP4525GEH		Сдвоенный P и N-канальный транзистор	ADVANCED POWER
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	FAI/QTC
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	FAIR
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	ON SEMICONDUCTOR
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	FSC
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт		24	20.80
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	FAIRCHILD
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	FAIRCHILD	5
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	ON SEMICONDUCTOR
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	OTHER	266
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	Fairchild Semiconductor
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	ФИЛИППИНЫ
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	ON SEMIC
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	ONS
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	ONS-FAIR
		BZV55-C18		Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA	PHILIPS
		BZV55-C18		Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA	DC COMPONENTS	97 366	2.42
		BZV55-C18		Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA	NXP
		BZV55-C18		Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA	PHILIPS	7 248
		BZV55-C18		Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
		BZV55-C18		Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA	KINGTRONIC
		BZV55-C18		Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA	KINGTRONICS	6 416	1.98  >100 шт.   0.99
		Д818Е		Стабилитрон кремниевый, диффузионно-сплавный, малой мощности, прецизионный		904	253.75
		Д818Е		Стабилитрон кремниевый, диффузионно-сплавный, малой мощности, прецизионный	НЗПП	152	157.44
		Д818Е		Стабилитрон кремниевый, диффузионно-сплавный, малой мощности, прецизионный	НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
		Д818Е		Стабилитрон кремниевый, диффузионно-сплавный, малой мощности, прецизионный	НОВОСИБИРСК
		Д818Е		Стабилитрон кремниевый, диффузионно-сплавный, малой мощности, прецизионный	RUS
		Д818Е		Стабилитрон кремниевый, диффузионно-сплавный, малой мощности, прецизионный	СЗТП

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"