Версия для печати
Технические характеристики 2SB817

Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	160
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	140
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	12
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	60
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц	15
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	100
Корпус	TO-3PB

Транзистор S-P 160В, 12A, ISO21, PNP, 100Вт, 15МГц 2SB817 datasheet 120,16kB 4стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SA1106
		2SA1186		Биполярный транзистор Si-P, 150V, 10A, 100W, 60MHz	NIPPON
		2SA1186		Биполярный транзистор Si-P, 150V, 10A, 100W, 60MHz	SK
		2SA1186		Биполярный транзистор Si-P, 150V, 10A, 100W, 60MHz		1	77.60
		2SA1186		Биполярный транзистор Si-P, 150V, 10A, 100W, 60MHz	SANKEN
		2SA1186		Биполярный транзистор Si-P, 150V, 10A, 100W, 60MHz	TOSHIBA
		2SA1186		Биполярный транзистор Si-P, 150V, 10A, 100W, 60MHz	ISCSEMI
		2SA1265		PNP Hi-Fi, 140V, 10A, 100W, 30MHz (Comp. 2SC3182N)	TOSHIBA
		2SA1265		PNP Hi-Fi, 140V, 10A, 100W, 30MHz (Comp. 2SC3182N)		1	216.00
		2SA1265		PNP Hi-Fi, 140V, 10A, 100W, 30MHz (Comp. 2SC3182N)	TOS
		2SA1265		PNP Hi-Fi, 140V, 10A, 100W, 30MHz (Comp. 2SC3182N)	ISCSEMI
		2SB816			SANYO
		2SB816			SAN
		2SB816				1	172.80
		2SD1047		Транзистор S-N, 160В, 12A, SOT93	SANYO
		2SD1047		Транзистор S-N, 160В, 12A, SOT93			144.00
		2SD1047		Транзистор S-N, 160В, 12A, SOT93	SAN
		2SD1047		Транзистор S-N, 160В, 12A, SOT93	ST MICROELECTRONICS
		2SD1047		Транзистор S-N, 160В, 12A, SOT93	NO TRADEMARK
		2SD1047		Транзистор S-N, 160В, 12A, SOT93	STMICROELECTR
		2SD1047		Транзистор S-N, 160В, 12A, SOT93	ISCSEMI

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SB1370		Биполярный транзистор Si-P, 60V, 3A, 30W, 15MHz	ROHM
		2SB1370		Биполярный транзистор Si-P, 60V, 3A, 30W, 15MHz		10	70.80
		2SB1370		Биполярный транзистор Si-P, 60V, 3A, 30W, 15MHz	КИТАЙ
		2SB1370		Биполярный транзистор Si-P, 60V, 3A, 30W, 15MHz	ISC	57	120.81
		2SB649AC		Транзистор биполярный PNP высокочастотный	HITACHI
		2SB649AC		Транзистор биполярный PNP высокочастотный			40.00
		2SB649AC		Транзистор биполярный PNP высокочастотный	UTC
		2SB649AC		Транзистор биполярный PNP высокочастотный	HIT
		2SB649AC		Транзистор биполярный PNP высокочастотный	UNISONIC
		2SB649AC		Транзистор биполярный PNP высокочастотный	КИТАЙ
		2SB649AC		Транзистор биполярный PNP высокочастотный	DE
		2SC2240		Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,1A, 0,3W, 100MHz)	TOSHIBA
		2SC2240		Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,1A, 0,3W, 100MHz)			13.08
		2SC2240		Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,1A, 0,3W, 100MHz)	TOS
		2SC2240		Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,1A, 0,3W, 100MHz)	КИТАЙ
		2SD1047		Транзистор S-N, 160В, 12A, SOT93	SANYO
		2SD1047		Транзистор S-N, 160В, 12A, SOT93			144.00
		2SD1047		Транзистор S-N, 160В, 12A, SOT93	SAN
		2SD1047		Транзистор S-N, 160В, 12A, SOT93	ST MICROELECTRONICS
		2SD1047		Транзистор S-N, 160В, 12A, SOT93	NO TRADEMARK
		2SD1047		Транзистор S-N, 160В, 12A, SOT93	STMICROELECTR
		2SD1047		Транзистор S-N, 160В, 12A, SOT93	ISCSEMI
		OPA551PA		ИМС Операционный усилитель 0,2A 3МГц 15В/мкс	TEXAS INSTRUMENTS
		OPA551PA		ИМС Операционный усилитель 0,2A 3МГц 15В/мкс			540.00
		OPA551PA		ИМС Операционный усилитель 0,2A 3МГц 15В/мкс	TEXAS INSTRUMEN
		OPA551PA		ИМС Операционный усилитель 0,2A 3МГц 15В/мкс	TEXAS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"