|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1206-6.2КJ-0.25 |
|
|
FAITHFUL LINK
|
|
|
|
|
|
3314G-1-102E |
|
Подстроечный резистор 1 кОм
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3314G-1-102E |
|
Подстроечный резистор 1 кОм
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3314G-1-102E |
|
Подстроечный резистор 1 кОм
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3314G-1-102E |
|
Подстроечный резистор 1 кОм
|
|
|
118.80
|
|
|
|
IRF1404 |
|
Транзистор полевой N-MOS 40V, 162A, 200W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF1404 |
|
Транзистор полевой N-MOS 40V, 162A, 200W
|
|
|
182.28
|
|
|
|
IRF1404 |
|
Транзистор полевой N-MOS 40V, 162A, 200W
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
IRF1404 |
|
Транзистор полевой N-MOS 40V, 162A, 200W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRF1404 |
|
Транзистор полевой N-MOS 40V, 162A, 200W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
28
|
|
|
|
|
IRF1404 |
|
Транзистор полевой N-MOS 40V, 162A, 200W
|
1
|
|
|
|
|
|
IRF1404 |
|
Транзистор полевой N-MOS 40V, 162A, 200W
|
YOUTAI
|
1 291
|
62.74
|
|
|
|
LM833M |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM833M |
|
|
|
|
46.52
|
|
|
|
LM833M |
|
|
NSC
|
4
|
107.10
|
|
|
|
LM833M |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
121
|
|
|
|
|
LM833M |
|
|
ФИНЛЯНДИЯ
|
|
|
|
|
|
LM833M |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM833M |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
TZB4R500BB7.0/50.0ПФ |
|
|
MURATA
|
|
|
|