|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
4N33 |
|
Опто транзистор 1 канал Iпр макс=80 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 50%
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
4N33 |
|
Опто транзистор 1 канал Iпр макс=80 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 50%
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
4N33 |
|
Опто транзистор 1 канал Iпр макс=80 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 50%
|
QTC
|
532
|
51.00
|
|
|
|
4N33 |
|
Опто транзистор 1 канал Iпр макс=80 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 50%
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
4N33 |
|
Опто транзистор 1 канал Iпр макс=80 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 50%
|
|
49
|
33.44
|
|
|
|
4N33 |
|
Опто транзистор 1 канал Iпр макс=80 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 50%
|
FAIRCHILD
|
109
|
7.28
|
|
|
|
4N33 |
|
Опто транзистор 1 канал Iпр макс=80 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 50%
|
FAIRCHILD
|
14
|
|
|
|
|
4N33 |
|
Опто транзистор 1 канал Iпр макс=80 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 50%
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
4N33 |
|
Опто транзистор 1 канал Iпр макс=80 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 50%
|
Fairchild Optoelectronics Group
|
|
|
|
|
|
4N33 |
|
Опто транзистор 1 канал Iпр макс=80 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 50%
|
LITE-ON
|
|
|
|
|
|
4N33 |
|
Опто транзистор 1 канал Iпр макс=80 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 50%
|
EVLT
|
|
|
|
|
|
4N33 |
|
Опто транзистор 1 канал Iпр макс=80 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 50%
|
EVERLIGH
|
|
|
|
|
|
4N33 |
|
Опто транзистор 1 канал Iпр макс=80 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 50%
|
QT
|
|
|
|
|
|
4N33 |
|
Опто транзистор 1 канал Iпр макс=80 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 50%
|
EVERLIGHT
|
|
|
|
|
|
4N33 |
|
Опто транзистор 1 канал Iпр макс=80 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 50%
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
4N33 |
|
Опто транзистор 1 канал Iпр макс=80 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 50%
|
EVL
|
|
|
|
|
|
4N33 |
|
Опто транзистор 1 канал Iпр макс=80 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 50%
|
1
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
|
1 104
|
2.45
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY
|
5 333
|
2.50
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
3 888
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DI
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIOTEC
|
23 728
|
2.96
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
102
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
HOTTECH
|
12 000
|
1.28
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMTECH
|
66
|
3.44
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
WUXI XUYANG
|
52
|
3.02
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
KOME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
JSCJ
|
77 976
|
1.93
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YJ
|
115 788
|
1.97
|
|
|
|
NCP1237AD65R2G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
NCP1237AD65R2G |
|
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
NCP1237AD65R2G |
|
|
|
|
|
|
|
|
S20K275 |
|
Варистор дисковый 275VAC/350VDC, 8 кА, 151 Дж, -40.+85°С
|
JOYIN
|
|
|
|
|
|
S20K275 |
|
Варистор дисковый 275VAC/350VDC, 8 кА, 151 Дж, -40.+85°С
|
EPCOS
|
|
|
|
|
|
S20K275 |
|
Варистор дисковый 275VAC/350VDC, 8 кА, 151 Дж, -40.+85°С
|
|
|
31.56
|
|
|
|
S20K275 |
|
Варистор дисковый 275VAC/350VDC, 8 кА, 151 Дж, -40.+85°С
|
EPCOS
|
|
|
|
|
|
S20K275 |
|
Варистор дисковый 275VAC/350VDC, 8 кА, 151 Дж, -40.+85°С
|
EPCOS Inc
|
|
|
|
|
|
S20K275 |
|
Варистор дисковый 275VAC/350VDC, 8 кА, 151 Дж, -40.+85°С
|
TDK (EPCOS)
|
|
|
|
|
|
S20K275 |
|
Варистор дисковый 275VAC/350VDC, 8 кА, 151 Дж, -40.+85°С
|
TDK-EPC
|
|
|
|
|
|
TNY264PN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 230VAC, Pвых 9W, Umax 700V, Imax 0,267A
|
PWR
|
|
|
|
|
|
TNY264PN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 230VAC, Pвых 9W, Umax 700V, Imax 0,267A
|
PI
|
|
|
|
|
|
TNY264PN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 230VAC, Pвых 9W, Umax 700V, Imax 0,267A
|
|
|
109.88
|
|
|
|
TNY264PN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 230VAC, Pвых 9W, Umax 700V, Imax 0,267A
|
Power Integrations
|
|
|
|
|
|
TNY264PN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 230VAC, Pвых 9W, Umax 700V, Imax 0,267A
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
TNY264PN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 230VAC, Pвых 9W, Umax 700V, Imax 0,267A
|
POWER INTEGRATI
|
|
|
|
|
|
TNY264PN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 230VAC, Pвых 9W, Umax 700V, Imax 0,267A
|
1
|
|
|
|