| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
|
|
14.92
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
ЯПОНИЯ
|
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
|
HSMS-2852-BLKG |
|
Выпрямительный диод
|
AVAGO
|
|
|
|
|
|
|
HSMS-2852-BLKG |
|
Выпрямительный диод
|
|
|
251.80
|
|
|
|
|
HSMS-2852-BLKG |
|
Выпрямительный диод
|
Avago Technologies US Inc
|
|
|
|
|
|
|
HSMS-2852-BLKG |
|
Выпрямительный диод
|
BRO/AVAG
|
|
|
|
|
|
|
LM358ADT |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель 2xOp-Amp 32V, 0.+70°C
|
ST MICROELECTRONICS
|
5 976
|
12.49
|
|
|
|
|
LM358ADT |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель 2xOp-Amp 32V, 0.+70°C
|
|
|
28.00
|
|
|
|
|
LM358ADT |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель 2xOp-Amp 32V, 0.+70°C
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
LM358ADT |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель 2xOp-Amp 32V, 0.+70°C
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
LM358ADT |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель 2xOp-Amp 32V, 0.+70°C
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LM358ADT |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель 2xOp-Amp 32V, 0.+70°C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
539
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
|
6 512
|
4.05
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
П/П 1
|
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
СЗТП
|
800
|
15.12
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
ЦВЕТОТРОН
|
9 120
|
13.44
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
|
КТ306АМ |
|
|
|
226
|
14.80
|
|
|
|
|
КТ306АМ |
|
|
СВЕТЛАНА
|
800
|
18.90
|
|
Версия для печати
