SP8M3FU6TB
|
Структура NP-канал |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | N and P-Channel |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 51 mOhm @ 5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 5A, 4.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 5.5nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 230pF @ 10V |
| Power - Max | 2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт | SANYO | 4 | 193.80 | |
|
|
|
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт | 1 | 121.20 | ||
|
|
|
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт | SAN |
|
|
|
|
|
|
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт | ISCSEMI |
|
|
|
|
|
|
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт | ISC | 1 724 | 42.41 | |
| 330МКФ 25В (8Х11) 105°C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 330 мкФ 25В | CHANGZHOU HUA WEI ELECTRONICS |
|
|
|||
| 330МКФ 25В (8Х11) 105°C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 330 мкФ 25В |
|
14.40 | ||||
| AF4502CSA |
|
800.00 | ||||||
| AF4502CSA | ANACHIP |
|
|
|||||
| BIT3105 | BITEK |
|
|
|||||
| BIT3105 | 1 | 284.40 | ||||||
| BIT3105 | BIT |
|
|
|||||
| BIT3105 | NO TRADEMARK |
|
|
|||||
 |
S2055N | TOSHIBA |
|
|
||||
|
|
S2055N |
|
216.40 | |||||
|
|
S2055N | TOS |
|
|
