|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N6488 |
|
Транзистор NPN 80V 15A 75W B:20-150
|
|
|
104.00
|
|
|
|
2N6488 |
|
Транзистор NPN 80V 15A 75W B:20-150
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD911 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V, 15A, 90W (Comp. BD912)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BD911 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V, 15A, 90W (Comp. BD912)
|
|
15
|
72.00
|
|
|
|
BD911 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V, 15A, 90W (Comp. BD912)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BD911 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V, 15A, 90W (Comp. BD912)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BD911 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V, 15A, 90W (Comp. BD912)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BD911 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V, 15A, 90W (Comp. BD912)
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD911 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V, 15A, 90W (Comp. BD912)
|
1
|
|
|
|
|
|
D44H11 |
|
Транзистор S-N 80В 10A 50МГц TO220
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
D44H11 |
|
Транзистор S-N 80В 10A 50МГц TO220
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
D44H11 |
|
Транзистор S-N 80В 10A 50МГц TO220
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
D44H11 |
|
Транзистор S-N 80В 10A 50МГц TO220
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
D44H11 |
|
Транзистор S-N 80В 10A 50МГц TO220
|
|
|
|
|
|
|
D44H11 |
|
Транзистор S-N 80В 10A 50МГц TO220
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
D44H11 |
|
Транзистор S-N 80В 10A 50МГц TO220
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
D44H11 |
|
Транзистор S-N 80В 10A 50МГц TO220
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
D44H11 |
|
Транзистор S-N 80В 10A 50МГц TO220
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1
|
|
|
|
|
D44H11 |
|
Транзистор S-N 80В 10A 50МГц TO220
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
D44H11 |
|
Транзистор S-N 80В 10A 50МГц TO220
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
D44H11 |
|
Транзистор S-N 80В 10A 50МГц TO220
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
MJE2955T |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJE2955T |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
40
|
66.30
|
|
|
|
MJE2955T |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...
|
|
|
63.88
|
|
|
|
MJE2955T |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
MJE2955T |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
MJE2955T |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...
|
ST1
|
|
|
|
|
|
MJE2955T |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
MJE2955T |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
MJE2955T |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...
|
PEACOCK
|
4
|
11.04
|
|
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
|
17
|
42.00
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ИНДИЯ
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
PILIPINES
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST1
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
CHANGJIANG
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
12 012
|
11.08
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
JSCJ
|
1
|
8.65
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ИМОРТ
|
79
|
16.00
|
|
|
|
FQP50N06L |
|
60v logic n-channel mosfet
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FQP50N06L |
|
60v logic n-channel mosfet
|
|
|
|
|
|
|
FQP50N06L |
|
60v logic n-channel mosfet
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FQP50N06L |
|
60v logic n-channel mosfet
|
ONS
|
|
|
|
|
|
FQP50N06L |
|
60v logic n-channel mosfet
|
FAIRCHILD
|
532
|
163.20
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
40
|
117.30
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
14
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
MIC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YJ
|
27 231
|
29.14
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
TSC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
|
320
|
19.70
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
HOTTECH
|
248
|
53.26
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
KLS
|
28 675
|
29.35
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YANGJIE
|
34 520
|
25.46
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
MJE2955T |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJE2955T |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
40
|
66.30
|
|
|
|
MJE2955T |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...
|
|
|
63.88
|
|
|
|
MJE2955T |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
MJE2955T |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
MJE2955T |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...
|
ST1
|
|
|
|
|
|
MJE2955T |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
MJE2955T |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
MJE2955T |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...
|
PEACOCK
|
4
|
11.04
|
|
|
|
NE5534AD |
|
ИМС
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE5534AD |
|
ИМС
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
NE5534AD |
|
ИМС
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
NE5534AD |
|
ИМС
|
|
1
|
158.40
|
|
|
|
NE5534AD |
|
ИМС
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
NE5534AD |
|
ИМС
|
TEXAS
|
|
|
|