Версия для печати
Технические характеристики SSH6N80

Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм	1900
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	170
Корпус	TO247
Пороговое напряжение на затворе	4.5

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		DM0365R		SMPS сх.упp, MOSFET 650V/Idp=2.15A,66kHz,Pout 30w	FAIR
		DM0365R		SMPS сх.упp, MOSFET 650V/Idp=2.15A,66kHz,Pout 30w		1	237.60
		DM0365R		SMPS сх.упp, MOSFET 650V/Idp=2.15A,66kHz,Pout 30w	ONS-FAIR
		FQPF8N60C		MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	FAIR
		FQPF8N60C		MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	FSC
		FQPF8N60C		MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220			120.00
		FQPF8N60C		MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	FAIRCHILD
		FQPF8N60C		MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	FAIRCHILD
		FQPF8N60C		MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	Fairchild Semiconductor
		FQPF8N60C		MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
		FQPF8N60C		MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	FSC1
		FQPF8N60C		MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	ONS
		FQPF8N60C		MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	ONS-FAIR
		ICE2BS01		SMPS упpавление MOSFET, Fosc=67kHz	INFINEON
		ICE2BS01		SMPS упpавление MOSFET, Fosc=67kHz			408.00
		ICE2BS01		SMPS упpавление MOSFET, Fosc=67kHz	Infineon Technologies
		ICE2BS01		SMPS упpавление MOSFET, Fosc=67kHz	США
		ICE2BS01		SMPS упpавление MOSFET, Fosc=67kHz	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		ICE2BS01		SMPS упpавление MOSFET, Fosc=67kHz	1
		LD7750RGR			LD
		LD7750RGR
		LD7750RGR			LEADTREND
		MBRF20100CTG			ON SEMICONDUCTOR
		MBRF20100CTG
		MBRF20100CTG			ONS	48	200.00
		MBRF20100CTG			ON SEMICONDUCTOR
		MBRF20100CTG			ON SEMI
		MBRF20100CTG			ONSEMICONDUCTOR

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"