Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10mA |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 5.6V |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 1µA @ 2V |
Допустимые отклонения емкости | ±5% |
Power - Max | 350mW |
Impedance (Max) (Zzt) | 40 Ohm |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | SOT-23-3 (TO-236) |
Рабочая температура | -55°C ~ 150°C |
Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
Tolerance | ±5% |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
ADG623BRMZ |
|
+5V 5 Ohm 2-ой SPST NO/NC I.C
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
ADG623BRMZ |
|
+5V 5 Ohm 2-ой SPST NO/NC I.C
|
|
|
251.88
|
|
|
|
ADG623BRMZ |
|
+5V 5 Ohm 2-ой SPST NO/NC I.C
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
ADG623BRMZ |
|
+5V 5 Ohm 2-ой SPST NO/NC I.C
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
ADG623BRMZ |
|
+5V 5 Ohm 2-ой SPST NO/NC I.C
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
288 976
|
2.16
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
138 645
|
2.38
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
64 874
|
1.40
>100 шт. 0.70
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
6.63
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
619 878
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
560
|
1.75
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
397 524
|
1.31
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
1
|
1.46
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
342
|
1.67
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
13 257
|
1.38
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
232 800
|
1.24
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
1 205 556
|
1.22
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
409 547
|
1.32
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
120 000
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
1 221 620
|
1.88
>100 шт. 0.94
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
34 304
|
1.50
>100 шт. 0.75
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
1 910
|
1.60
|
|
|
|
BC847B.215 |
|
Транзистор биполярный SMD
|
|
|
2.56
|
|
|
|
BC847B.215 |
|
Транзистор биполярный SMD
|
NXP
|
9 400
|
1.60
|
|
|
|
BC847B.215 |
|
Транзистор биполярный SMD
|
NEX-NXP
|
2
|
1.94
>100 шт. 0.97
|
|
|
|
KP-1608SURC |
|
SMD индикатор
|
KB
|
|
|
|
|
|
KP-1608SURC |
|
SMD индикатор
|
KINGBRIGHT
|
408
|
13.85
|
|
|
|
KP-1608SURC |
|
SMD индикатор
|
KGB
|
77 956
|
11.27
|
|
|
|
KP-1608SURC |
|
SMD индикатор
|
|
|
11.84
|
|
|
|
KP-1608SURC |
|
SMD индикатор
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
|
|
58.80
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
СЕВЕРНАЯ КОРЕЯ
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
КОРЕЯ, НАРОДНО-
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
HGSEMI
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
ISC
|
549
|
51.93
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
TEXAS
|
|
|
|