|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SA733 |
|
Биполярный транзистор PNP (60V, 0.1A, 0.25W, 180MHz)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2SA733 |
|
Биполярный транзистор PNP (60V, 0.1A, 0.25W, 180MHz)
|
NEC
|
29
|
6.30
|
|
|
|
2SA733 |
|
Биполярный транзистор PNP (60V, 0.1A, 0.25W, 180MHz)
|
|
16
|
24.00
|
|
|
|
2SA733 |
|
Биполярный транзистор PNP (60V, 0.1A, 0.25W, 180MHz)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
2SA733 |
|
Биполярный транзистор PNP (60V, 0.1A, 0.25W, 180MHz)
|
ТАЙВАНЬ
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
DC COMPONENTS
|
8 996
|
4.28
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
MCC
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
|
10
|
14.40
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
WTE
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
MIC
|
13 381
|
2.98
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
YJ
|
368
|
4.92
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
KLS
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
YANGJIE
|
8 800
|
3.23
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
MIG
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
SEMTECH
|
648
|
6.11
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
OLITECH
|
1 999
|
3.97
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
1
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
MDD
|
1 568
|
2.70
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
RUME
|
16 000
|
1.90
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
TRR ELECTRONICS
|
1 704
|
3.26
|
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.
|
|
1 607
|
42.84
|
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.
|
1
|
|
|
|
|
|
MCP3201-CI/P |
|
Аналого- цифровой преобразователь 12бит, SPI
|
MICRO CHIP
|
44
|
295.20
|
|
|
|
MCP3201-CI/P |
|
Аналого- цифровой преобразователь 12бит, SPI
|
|
|
392.00
|
|
|
|
MCP3201-CI/P |
|
Аналого- цифровой преобразователь 12бит, SPI
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
NE5534P |
|
Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE5534P |
|
Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
NE5534P |
|
Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц
|
|
|
44.88
|
|
|
|
NE5534P |
|
Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
NE5534P |
|
Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
NE5534P |
|
Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
NE5534P |
|
Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц
|
1
|
|
|
|