IRF9310
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6 mOhm @ 20A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 20A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 165nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 5250pF @ 15V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0805 1.8 КОМ 1% | TMTEC |
|
|
|||||
| 1210 2,2МКФ 100В X7R (12101C225KAT2A) | 1 600 | 1.70 | ||||||
| 1210 22МКФ 16В X7R (1210YC226KAT2A) | 1 600 | 1.70 | ||||||
 |
1Д507А |
|
Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ | 139 | 4.20 | |||
|
|
1Д507А |
|
Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ | АЛЕКСАНДРОВ | 1 840 | 4.00 | ||
|
|
1Д507А |
|
Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ | RUS |
|
|
||
|
|
1Д507А |
|
Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ | ЭЛЕКС | 968 | 15.30 |
