IRFL024N

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFL024N		50.60

Версия для печати

Технические характеристики IRFL024N

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	75 mOhm @ 2.8A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.8A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	18.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	400pF @ 25V
Power - Max	1W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Корпус	SOT-223

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFL024N (N-канальные транзисторные модули)

Power MOSFET (Vdss=55V, Rds (on) =0.075ohm, Id=2.8A)

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRFL024N datasheet
112.27Kb
8стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
IRFL014N	N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=2.7A@T=25C, Id=1.5A@T=70C, Rds=0.16 R, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFL014N	N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=2.7A@T=25C, Id=1.5A@T=70C, Rds=0.16 R, ...			43.60
IRFL014N	N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=2.7A@T=25C, Id=1.5A@T=70C, Rds=0.16 R, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	21
IRFL014N	N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=2.7A@T=25C, Id=1.5A@T=70C, Rds=0.16 R, ...	INFINEON
IRFL014N	N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=2.7A@T=25C, Id=1.5A@T=70C, Rds=0.16 R, ...	EVVO	3 993	10.30
MC02194 (УПАКОВКА ИЗ 2)		MULTICOMP
К294КП7ВП5				440.44
К294КП7ВП5		ПРОТОН
К294КП7ВП5		AL
К294КП7ВП5		СИНТЭК