|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
DC COMPONENTS
|
1 156
|
2.69
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
400
|
12.35
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
DIOTEC
|
2 970
|
3.32
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
KOREA ELECTRONICS CORPORATION
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
KEC AMERICA (USD)
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
|
17 663
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
8
|
10.20
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
CJ
|
4
|
2.34
|
|
|
|
АЛ307ГМ |
|
Светодиод зеленый, круглый,5мм, 1.5мКд, 2,8В
|
|
2 607
|
11.79
|
|
|
|
АЛ307ГМ |
|
Светодиод зеленый, круглый,5мм, 1.5мКд, 2,8В
|
ПЛАНЕТА СИД
|
|
|
|
|
|
АЛ307ГМ |
|
Светодиод зеленый, круглый,5мм, 1.5мКд, 2,8В
|
СТАРТ
|
864
|
10.74
|
|
|
|
АЛ307ГМ |
|
Светодиод зеленый, круглый,5мм, 1.5мКд, 2,8В
|
ПРОТОН
|
|
|
|
|
|
АЛ307ГМ |
|
Светодиод зеленый, круглый,5мм, 1.5мКд, 2,8В
|
ПЛАНЕТА-СИД
|
800
|
15.04
|
|
|
|
АЛ307ГМ |
|
Светодиод зеленый, круглый,5мм, 1.5мКд, 2,8В
|
RUS
|
|
|
|
|
|
АЛ307ГМ |
|
Светодиод зеленый, круглый,5мм, 1.5мКд, 2,8В
|
ПЛАНЕТА
|
|
|
|
|
|
АЛ307ГМ |
|
Светодиод зеленый, круглый,5мм, 1.5мКд, 2,8В
|
ПРОТОН-ОПТОЭЛ
|
|
|
|
|
|
КТ502А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный, для ...
|
|
2 223
|
3.70
|
|
|
|
КТ502А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный, для ...
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
14.50
|
|
|
|
КТ502А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный, для ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ502А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный, для ...
|
ЭЛЕКС
|
|
|
|
|
|
КТ502А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный, для ...
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ502А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный, для ...
|
МИНСК
|
3 084
|
8.40
|
|
|
|
КТ502А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный, для ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ502А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный, для ...
|
БРЯНСК
|
121
|
6.30
|
|
|
|
КТ 502 Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
3 160
|
15.12
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
515
|
17.72
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ЭЛЕКС
|
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|