|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DC COMPONENTS
|
63 596
|
1.84
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FSC
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
|
92 636
|
1.18
>100 шт. 0.59
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC
|
311
|
1.87
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
1 171
|
1.63
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
UTC
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC ELECTRONICS CORP.
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
YJ
|
280 482
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC ELECTRONICS CORP
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
|
1 024
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
YANGJIE
|
26 400
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
HOTTECH
|
273 500
|
1.30
>100 шт. 0.65
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
JANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
UNKNOWN
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
0.00
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
GME
|
1
|
3.57
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
JSCJ
|
36 553
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
1
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
TRR
|
67 200
|
1.32
>500 шт. 0.44
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
JSMICRO
|
272 470
|
1.38
>500 шт. 0.46
|
|
|
|
2SC3502 |
|
Биполярный транзистор NPN 200V, 0.1A, 5W, 150MHz
|
SANYO
|
|
|
|
|
|
2SC3502 |
|
Биполярный транзистор NPN 200V, 0.1A, 5W, 150MHz
|
SAN
|
|
|
|
|
|
2SC3502 |
|
Биполярный транзистор NPN 200V, 0.1A, 5W, 150MHz
|
|
|
28.76
|
|
|
|
2SC3502 |
|
Биполярный транзистор NPN 200V, 0.1A, 5W, 150MHz
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2SC3502 |
|
Биполярный транзистор NPN 200V, 0.1A, 5W, 150MHz
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
ATMEGA3290P-20AU |
|
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
ATMEGA3290P-20AU |
|
|
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
CJ
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
JSCJ
|
39 108
|
1.60
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
|
27 940
|
1.28
>100 шт. 0.64
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
HOTTECH
|
226 218
|
1.08
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
1
|
|
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
SEMTECH
|
13
|
1.19
|
|