IRF9310
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6 mOhm @ 20A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 20A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 165nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 5250pF @ 15V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0603 10 КОМ 5% (RC0603JR-0710K) | PHYCOMP |
|
|
|||||
| 0603 10 КОМ 5% (RC0603JR-0710K) | YAGEO |
|
|
|||||
| 1206 20 КОМ 5% | ROYAL OHM |
|
|
|||||
 |
BAS321 | FAIR |
|
|
||||
|
|
BAS321 | NXP |
|
|
||||
|
|
BAS321 | PHILIPS |
|
|
||||
|
|
BAS321 | 54 720 | 1.18 | |||||
|
|
BAS321 | NXP | 84 |
|
||||
|
|
BAS321 | PHILIPS |
|
|
||||
|
|
BAS321 | HOTTECH |
|
|
||||
|
|
BAS321 | SHIKUES | 17 925 | 2.30 | ||||
|
|
BAS321 | YJ | 60 116 | 1.29 | ||||
 |
|
IRF9540N |
|
P-канальный полевой транзистор 140Вт, 100В, 23А | INTERNATIONAL RECTIFIER | 266 | 127.50 | |
|
|
|
IRF9540N |
|
P-канальный полевой транзистор 140Вт, 100В, 23А | 8 | 115.20 | ||
|
|
|
IRF9540N |
|
P-канальный полевой транзистор 140Вт, 100В, 23А | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRF9540N |
|
P-канальный полевой транзистор 140Вт, 100В, 23А | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
IRF9540N |
|
P-канальный полевой транзистор 140Вт, 100В, 23А | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
IRF9540N |
|
P-канальный полевой транзистор 140Вт, 100В, 23А | 1 |
|
|
|
|
|
|
IRF9540N |
|
P-канальный полевой транзистор 140Вт, 100В, 23А | EVVO | 1 633 | 31.75 | |
| R0805-1 ОМ-5% | 3 992 | 1.76 |
