Версия для печати
Технические характеристики IRL3705N

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 46A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	89A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	98nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3600pF @ 25V
Power - Max	3.8W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-262-3 (Straight Leads)
Корпус	TO-262

IRL3705NL (N-канальные транзисторные модули) 55V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA D2-Pak Package Также в этом файле: IRL3705NS, IRL3705NSTRL, IRL3705NSTRR Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRL3705N datasheet 186.82Kb 10стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		74HC366D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74)	FAIR
		74HC366D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74)			53.52
		74HC366D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74)	PHILIPS
		74HC366D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74)	NXP
		74HC366D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74)	PHILIPS	217
		74HC366D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74)	КИТАЙ
		74HCT366D			NXP
		74HCT366D			NXP
		74HCT366D
		К511ЛА5		Микросхема 4x2И-НЕ с пассивным выходом, 15В		3 584	35.70
		К511ЛА5		Микросхема 4x2И-НЕ с пассивным выходом, 15В	ИЗОТРОН
		К511ЛА5		Микросхема 4x2И-НЕ с пассивным выходом, 15В	МИНСК	807	10.00
		К511ЛА5		Микросхема 4x2И-НЕ с пассивным выходом, 15В	RUS
		К511ЛА5		Микросхема 4x2И-НЕ с пассивным выходом, 15В	ИЗОТРОН, ЛИДА	464	118.08
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...		1	21.12
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	ЗПП
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	МИКРОН
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	МЕЗОН
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	ИНТЕГРАЛ	1	216.48
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	РОДОН	752	177.12
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	ЗПП МИНСК
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	МИНСК
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	ХАБАРОВСК
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	НОВОСИБИРСК
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	RUS
		КТ827В		Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN	КРЕМНИЙ	4	1 326.00
		КТ827В		Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN		134	192.50
		КТ827В		Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN	ЭЛЕКТРОПРИБОР
		КТ827В		Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN	ФРЯЗИНО
		КТ827В		Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN	ЭЛЕКТРОНПРИБОР

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"