![]() |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased + Diode |
Current - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 1K |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 10K |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 50mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Frequency - Transition | 200MHz |
Power - Max | 200mW |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Корпус | SOT-363 |
Product Change Notification | Wire Change 16/Sept/2008 |
![]() | IRFB9N60A ТранзРСвЂВстор полевой РљСѓРїРСвЂВть |
![]() | DTSM20-7K (63K-T/R) 100GF РљРѕРСВВР В Р’В Р РЋР’ВСѓС‚РСвЂВСЂСѓРµРСВВый ток / напряженРСвЂВР В Р’Вµ 12 Р В РІР‚в„ў / 0,05 Р В Р’В Р РЋРІР‚в„ў РЎРѕРїСЂРѕС‚РСвЂВвленРСвЂВР В Р’Вµ контактов/ Р В Р’В Р РЋРІР‚ВзоляцРСвЂВР С†0,1 РћРѠ/ 100 РњРћРѠРабочРСвЂВР в„– Р В Р’В Р СћРІР‚ВР В Р’В Р РЋРІР‚Вапазон теРСВВператур -25…+70 Р’В°C РљСѓРїРСвЂВть |
![]() | STGP14HF60KD Igbt-транзРСвЂВстор Р Р…Р В° 600 Р Р†, 14 Р В Р’В° Р РЋР С“ СѓСЃРСвЂВленной защРСвЂВтой РѕС‚ короткого Р·Р°РСВВыканРСвЂВР РЋР РЏ РљСѓРїРСвЂВть |
|
Корзина
|