FDC6561AN

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
FDC6561AN (FAIRCHILD.)	44	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики FDC6561AN

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	PowerTrench®
FET Type	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	95 mOhm @ 2.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	3.2nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	220pF @ 15V
Power - Max	700mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	6-SSOT, SuperSOT™-6
Корпус	6-SSOT
Product Change Notification	Mold Compound Change 07/Dec/2007 Mold Compound Change 08/April/2008

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FDC6561AN (MOSFET)

Dual N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FDC6561AN datasheet
114.2 Кб