|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SA1837 |
|
Пара PNP+NPN транзисторов 230В, 1А, 70МГц, 20Вт
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2SA1837 |
|
Пара PNP+NPN транзисторов 230В, 1А, 70МГц, 20Вт
|
|
1 800
|
23.95
|
|
|
|
2SA1837 |
|
Пара PNP+NPN транзисторов 230В, 1А, 70МГц, 20Вт
|
TOS
|
|
|
|
|
|
2SA1837 |
|
Пара PNP+NPN транзисторов 230В, 1А, 70МГц, 20Вт
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
2SA1837 |
|
Пара PNP+NPN транзисторов 230В, 1А, 70МГц, 20Вт
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2SC4793 |
|
Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), ...
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2SC4793 |
|
Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), ...
|
|
1 482
|
22.01
|
|
|
|
2SC4793 |
|
Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), ...
|
TOS
|
|
|
|
|
|
2SC4793 |
|
Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), ...
|
СИНГАПУР
|
|
|
|
|
|
2SC4793 |
|
Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), ...
|
ISC
|
383
|
76.08
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
|
3 137
|
15.46
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ИНДИЯ
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
PILIPINES
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST1
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
CHANGJIANG
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
12 862
|
11.21
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
JSCJ
|
5 188
|
9.34
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ИМОРТ
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
HARRIS
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
HARRIS
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
ISIL
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
SILICONIX
|
19
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
|
|
155.76
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
1
|
|
|
|
|
|
IRFP9240 |
|
Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFP9240 |
|
Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
IRFP9240 |
|
Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRFP9240 |
|
Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
IRFP9240 |
|
Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFP9240 |
|
Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
IRFP9240 |
|
Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
IRFP9240 |
|
Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRFP9240 |
|
Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
IRFP9240 |
|
Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFP9240 |
|
Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRFP9240 |
|
Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А
|
|
|
134.48
|
|