IRLHS6242TR2
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.7 mOhm @ 8.5A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 10A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 10µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 14nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1110pF @ 10V |
| Power - Max | 1.98W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-PowerVDFN |
| Корпус | 6-PQFN (2x2) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
IRF3717TRPBF |
|
International Rectifier |
|
|
||
|
|
|
IRF3717TRPBF |
|
INTERNATIONAL RECTIFIER | 46 |
|
||
|
|
|
IRF3717TRPBF |
|
INFINEON |
|
|
||
| SI2312BDS-T1-E3 | SILICONIX |
|
|
|||||
| SI2312BDS-T1-E3 | 2 400 | 21.44 | ||||||
| SI2312BDS-T1-E3 | SILICONIX |
|
|
|||||
| SI2312BDS-T1-E3 | VISHAY |
|
|
|||||
| SI2312BDS-T1-E3 | Vishay/Siliconix |
|
|
|||||
| SI2312BDS-T1-E3 | 2 400 | 21.44 | ||||||
| SI2312BDS-T1-E3 | VISHAY |
|
|
|||||
| UC3846DW | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| UC3846DW | 1 | 259.20 | ||||||
| UC3846DW | UNITRODE INTEGRATED CIRCUITS C |
|
|
|||||
| UC3846DW | TEXAS |
|
|
|||||
| UC3846DW | UNITRODE (TI) | 729 | 240.00 | |||||
| UC3846DW | 1 |
|
|
|||||
| XMLAWT-00-0000-0000U2053 | CREE |
|
|
|||||
| XMLAWT-00-0000-0000U2053 |
|
|
||||||
| ZXLD381FHTA | ZTX |
|
|
|||||
| ZXLD381FHTA | 1 | 154.80 | ||||||
| ZXLD381FHTA | ZETEX |
|
|
|||||
| ZXLD381FHTA | Diodes/Zetex |
|
|
|||||
| ZXLD381FHTA | DIODES |
|
|
|||||
| ZXLD381FHTA | 1 |
|
|
