|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
0603-LQW18A_0010NHJ |
|
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
10BQ040TR |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
10BQ040TR |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
10BQ040TR |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB
|
|
|
19.40
|
|
|
|
10BQ040TR |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
56
|
|
|
|
|
10BQ040TR |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
10BQ040TR |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
10BQ040TR |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB
|
SMCMICRO
|
450
|
16.84
|
|
|
|
10BQ040TR |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB
|
SMC
|
|
|
|
|
|
10BQ040TR |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
10BQ040TR |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB
|
KLS
|
|
|
|
|
|
10BQ040TR |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB
|
LGE
|
76
|
10.16
|
|
|
|
BC850C/T1 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC850C/T1 |
|
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BC850C/T1 |
|
|
0.00
|
|
|
|
|
|
BZV55-C5V6 |
|
Стабилитрон 1мкA, 5.2В, SMD монтаж
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZV55-C5V6 |
|
Стабилитрон 1мкA, 5.2В, SMD монтаж
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZV55-C5V6 |
|
Стабилитрон 1мкA, 5.2В, SMD монтаж
|
DC COMPONENTS
|
159 126
|
2.27
|
|
|
|
BZV55-C5V6 |
|
Стабилитрон 1мкA, 5.2В, SMD монтаж
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C5V6 |
|
Стабилитрон 1мкA, 5.2В, SMD монтаж
|
NXP
|
711
|
|
|
|
|
BZV55-C5V6 |
|
Стабилитрон 1мкA, 5.2В, SMD монтаж
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZV55-C5V6 |
|
Стабилитрон 1мкA, 5.2В, SMD монтаж
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BZV55-C5V6 |
|
Стабилитрон 1мкA, 5.2В, SMD монтаж
|
NEXPERIA
|
34
|
2.84
|
|
|
|
BZV55-C5V6 |
|
Стабилитрон 1мкA, 5.2В, SMD монтаж
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
LQH32CN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
LQH32CN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
LQH32CN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)
|
|
|
25.88
|
|
|
|
LQH32CN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)
|
MUR
|
9 441
|
7.56
|
|
|
|
LQH32CN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|