|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
NXP
|
1 789
|
3.57
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
CHENMKO ENTERPRISE
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
PHILIPS
|
532
|
6.63
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
DC COMPONENTS
|
35 348
|
3.30
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
DIOTEC
|
20 700
|
2.62
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
LI-SION TECHNOLOGY
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
|
559
|
7.04
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
GALAXY
|
985
|
3.94
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
CHENMKO ENTERPRISE CO, LTD
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
FAIRCHILD
|
4 762
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
1 848
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
NXP
|
3 192
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
OTHER
|
4 841
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
HOTTECH
|
86 952
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
KOME
|
2
|
3.61
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
SUNTAN
|
77
|
1.57
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1 298
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
SEMTECH
|
1
|
2.93
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
WUXI XUYANG
|
903
|
2.47
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
YJ
|
757 822
|
1.40
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
CJ
|
1 204
|
1.40
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
1
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
JSCJ
|
164 840
|
1.94
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
JINGDAO
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC
|
1 985
|
2.83
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DC COMPONENTS
|
45 794
|
2.68
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WTE
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WILLAS ELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
FAIRCHILD
|
1 304
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NXP
|
149
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
OTHER
|
44
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PHILIPS
|
1 404
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WILLAS ELECTRONIC CORP
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
GALAXY
|
709
|
4.06
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ZETEX
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
|
19 691
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YJ
|
141 982
|
1.53
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC ELECTRONICS CORP
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
|
100
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
HOTTECH
|
260 853
|
1.40
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PANJIT
|
24 773
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
GOOD-ARK SEMICONDUCTOR
|
27
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YANGJIE
|
14 400
|
1.31
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NEX-NXP
|
4 960
|
4.92
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
TWGMC
|
48 997
|
1.29
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
OLITECH
|
156
|
1.43
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
JSCJ
|
216 196
|
1.90
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YOUTAI
|
63 346
|
1.76
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
JINGDAO
|
5 176
|
1.88
>100 шт. 0.94
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NEXPERIA
|
2 040
|
1.60
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
288 534
|
2.29
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
13
|
2.48
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
65 274
|
1.24
>100 шт. 0.62
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
6.63
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
31 763
|
1.97
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
576
|
1.75
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
1
|
1.57
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
368
|
1.74
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
13 257
|
1.96
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
232 800
|
1.26
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
1 451 640
|
1.32
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
532 410
|
1.43
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
112 000
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
955 368
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
36 704
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
2 070
|
1.60
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
8 000
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
|
40
|
1.07
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
1
|
|
|
|
|
|
SMBJ64CA T/R |
|
Защитный диод двунаправленный 600W 64V SMB
|
EIC
|
|
|
|