|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
DM0365R |
|
SMPS сх.упp, MOSFET 650V/Idp=2.15A,66kHz,Pout 30w
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
DM0365R |
|
SMPS сх.упp, MOSFET 650V/Idp=2.15A,66kHz,Pout 30w
|
|
1
|
237.60
|
|
|
|
DM0365R |
|
SMPS сх.упp, MOSFET 650V/Idp=2.15A,66kHz,Pout 30w
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
IRFR5305 |
|
Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFR5305 |
|
Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...
|
|
4 000
|
24.48
|
|
|
|
IRFR5305 |
|
Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
6
|
|
|
|
|
IRFR5305 |
|
Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFR5305 |
|
Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...
|
IR/VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFR5305 |
|
Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...
|
SLKOR
|
15 520
|
25.10
|
|
|
|
IRFR5305 |
|
Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...
|
JSMICRO
|
3 828
|
33.11
|
|
|
|
IRFR5305 |
|
Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...
|
EVVO
|
1 744
|
24.27
|
|
|
|
LB11880 |
|
Контроллер
|
SANYO
|
|
|
|
|
|
LB11880 |
|
Контроллер
|
SAN
|
|
|
|
|
|
LB11880 |
|
Контроллер
|
|
|
157.68
|
|
|
|
LB11880 |
|
Контроллер
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS
|
266
|
43.35
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
UTC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
|
32
|
14.76
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
5
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST1
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
HGSEMI
|
1 237
|
12.34
|
|
|
|
ТЕРМОУСАДКА КЛЕЕВАЯ Ф9.5 ЧЕРН |
|
|
|
|
|
|