IXFN80N50P

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IXFN80N50P		6 558.00

Версия для печати

Технические характеристики IXFN80N50P

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	PolarHV™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65 mOhm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	66A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	195nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	12700pF @ 25V
Power - Max	700W
Тип монтажа	Шасси
Корпус (размер)	SOT-227-4, miniBLOC
Корпус	SOT-227B

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFN80N50P (Полевые МОП транзисторы)

PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode

Производитель:
IXYS Corporation
//www.ixys.com

IXFN80N50P datasheet
126.96Kb
5стр.