AD712JR

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
AD712JR		258.88

Версия для печати

Технические характеристики AD712JR

Корпус	8-SOIC
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)	9 V ~ 36 V, ±4.5 V ~ 20 V
Ток выходной / канал	25mA
Ток выходной	5mA
Напряжение входного смещения	300µV
Ток - входного смещения	25pA
Полоса пропускания -3Дб	4MHz
Скорость нарастания выходного напряжения	20 V/µs
Число каналов	2
Тип усилителя	J-FET
Lead Free Status / RoHS Status	RoHS non-compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

AD712 (Операционные усилители)

Dual-Precision, Low-Cost, High-Speed, BiFET Op Amp

Также в этом файле: AD712JR, AD712JR-REEL, AD712JR-REEL7

Производитель:
Analog Devices
//www.analog.com

AD712JR datasheet
397.97Kb
16стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
3224W-1-104E	Резистор подстроечный однооборотный smd (R=100 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, ...	BOURNS	1 040	299.63
3224W-1-104E	Резистор подстроечный однооборотный smd (R=100 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, ...	Bourns Inc
3224W-1-104E	Резистор подстроечный однооборотный smd (R=100 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, ...
3224W-1-503E	11об. потенциометр 50 кОм	BOURNS
3224W-1-503E	11об. потенциометр 50 кОм			332.00
3224W-1-503E	11об. потенциометр 50 кОм	Bourns Inc
3224W-1-503E	11об. потенциометр 50 кОм	BOURNS
BAS416,115		NXP
BAS416,115		NXP Semiconductors
BAS416,115		NEX
BAS416,115		NXP
BAS45AL,115		NXP
BAS45AL,115		NXP Semiconductors
BAS45AL,115		NEX
BAS45AL,115
FKP2O100331D00JSSD		WIM
FKP2O100331D00JSSD