BC856BDW1T1G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BC856BDW1T1G (ON SEMICONDUCTOR.)	8 740	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики BC856BDW1T1G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	2 PNP (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	650mV @ 5mA, 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	220 @ 2mA, 5V
Power - Max	380mW
Frequency - Transition	100MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Корпус	SOT-363
Product Change Notification	Wire Change 08/Jun/2009

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.