![]() |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 78A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 70A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 190nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 7400pF @ 25V |
Power - Max | 300W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-247-3 |
Корпус | TO-247-3 |
IRFP064 (N-канальные транзисторные модули) Power Mosfet (vdss=60v, Rds (on) =0.009ohm, Id=70a)
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
![]() |
UCC37322P |
![]() |
Драйвер FET-IGBT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
UCC37322P |
![]() |
Драйвер FET-IGBT | 3 | 193.60 | ||
![]() |
![]() |
UCC37322P |
![]() |
Драйвер FET-IGBT | TEXAS INSTRUMEN |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
UCC37322P |
![]() |
Драйвер FET-IGBT | TEXAS |
![]() |
![]() |
|
ВПТ19 4А |
![]() |
10.88 | ||||||
![]() |
![]() |
ВПТ6-11 3.15А |
![]() |
Вставка плавкая замедленного действия 3.15А, 250В |
![]() |
12.52 | ||
![]() |
![]() |
ВПТ6-11 3.15А |
![]() |
Вставка плавкая замедленного действия 3.15А, 250В | РАДИОДЕТАЛЬ |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
ВПТ6-11 3.15А |
![]() |
Вставка плавкая замедленного действия 3.15А, 250В | РАДИОДЕТ | 1 377 | 23.82 | |
К50-29-16-470 |
![]() |
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 16 В |
![]() |
131.36 | ||||
К50-29-16-470 |
![]() |
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 16 В | ВКЗ |
![]() |
![]() |
|||
![]() |
![]() |
К50-68-25-1000 |
![]() |
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 25 В |
![]() |
28.28 |
|
Корзина
|