| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
 |
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8
|
SGS
|
|
|
|
|
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8
|
|
4
|
75.60
|
|
|
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8
|
UTC
|
|
|
|
|
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8
|
1
|
|
|
|
|
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
354
|
|
|
 |
|
КП364Б |
|
|
|
|
16.80
|
|
|
|
|
КП364Б |
|
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа
|
|
288
|
185.00
|
|
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа
|
КРИСТАЛЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа
|
УЛЬЯНОВСК
|
3 271
|
35.70
|
|
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа
|
УРЛЗ
|
120
|
227.30
|
|
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа
|
КАЛУГА
|
|
|
|
|
|
|
КТ368АМ |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 900МГц,225 мВт, 15В, 30мА
|
|
141
|
7.91
|
|
|
|
|
КТ368АМ |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 900МГц,225 мВт, 15В, 30мА
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
|
КТ368АМ |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 900МГц,225 мВт, 15В, 30мА
|
МИНСК
|
2 559
|
6.30
|
|
|
|
|
КТ368АМ |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 900МГц,225 мВт, 15В, 30мА
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ368АМ |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 900МГц,225 мВт, 15В, 30мА
|
ИНТЕГРАЛ
|
52
|
15.12
|
|
|
|
|
КТ368БМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
|
16.12
|
|
|
|
|
КТ368БМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
|
КТ368БМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ368БМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ДАЛЕКС
|
84
|
32.96
|
|
|
|
|
КТ368БМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
Версия для печати
