BC847BS

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
BC847BS (NXP.)	92	3-4 недели Цена по запросу
BC847BS (PHILIPS.)	1 414	3-4 недели Цена по запросу
BC847BS (LGE)	12	5.76
BC847BS (YJ)	605 158	1.91
BC847BS (KOME)	695	2.66
BC847BS (NEXPERIA)	7	2.47
BC847BS (HOTTECH)	11 148	1.84
BC847BS (SUNTAN)	67 064	2.27

Версия для печати

Технические характеристики BC847BS

Корпус	SC-70-6
Корпус (размер)	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Тип монтажа	Поверхностный
Power - Max	210mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 2mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Transistor Type	2 NPN (Dual)
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Product Change Notification	Mold Compound Change 12/Dec/2007

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BC847BS

Npn General Purpose Double Transistor

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

BC847BS datasheet
49.47Kb
8стр.