IRF8010
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 45A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 80A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 120nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3830pF @ 25V |
| Power - Max | 260W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF8010 (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
IRF5210 |
|
Транзистор полевой P-канальный (Vds=100V, Id=40A@T=25C, Id=29A@T=100C) | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRF5210 |
|
Транзистор полевой P-канальный (Vds=100V, Id=40A@T=25C, Id=29A@T=100C) |
|
114.44 | ||
|
|
|
IRF5210 |
|
Транзистор полевой P-канальный (Vds=100V, Id=40A@T=25C, Id=29A@T=100C) | МАЛАЙЗИЯ |
|
|
|
|
|
|
IRF5210 |
|
Транзистор полевой P-канальный (Vds=100V, Id=40A@T=25C, Id=29A@T=100C) | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRF5210 |
|
Транзистор полевой P-канальный (Vds=100V, Id=40A@T=25C, Id=29A@T=100C) | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
IRF5210 |
|
Транзистор полевой P-канальный (Vds=100V, Id=40A@T=25C, Id=29A@T=100C) | UMW-YOUTAI |
|
|
|
|
|
|
IRF5210 |
|
Транзистор полевой P-канальный (Vds=100V, Id=40A@T=25C, Id=29A@T=100C) | YOUTAI |
|
|
|
 |
|
IXTQ44N50P |
|
Polarhv power mosfet | IXYS |
|
|
|
|
|
|
IXTQ44N50P |
|
Polarhv power mosfet |
|
|
||
|
|
|
IXTQ44N50P |
|
Polarhv power mosfet |
|
|
