2SA916

Версия для печати

Технические характеристики 2SA916

Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	160
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	0.05
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	90
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц	80.0
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	1
Корпус	SP8

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BC177B				32.64
BC177B				32.64
BC307B	Транзистор биполярный малой мощности	ON SEMICONDUCTOR
BC307B	Транзистор биполярный малой мощности	FAIR
BC307B	Транзистор биполярный малой мощности	MOTOROLA
BC307B	Транзистор биполярный малой мощности		25	9.60
BC307B	Транзистор биполярный малой мощности	FAIRCHILD
BC307B	Транзистор биполярный малой мощности	ONS
BC307B	Транзистор биполярный малой мощности	FAIRCHILD
BC307B	Транзистор биполярный малой мощности	MOTOROLA
BC307B	Транзистор биполярный малой мощности	Fairchild Semiconductor
BC307B	Транзистор биполярный малой мощности	1
BDX34C	Транзистор биполярный SMD PNP составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)	ST MICROELECTRONICS
BDX34C	Транзистор биполярный SMD PNP составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)	FAIR
BDX34C	Транзистор биполярный SMD PNP составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)	ON SEMICONDUCTOR
BDX34C	Транзистор биполярный SMD PNP составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)	FAIRCHILD
BDX34C	Транзистор биполярный SMD PNP составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)			45.64
BDX34C	Транзистор биполярный SMD PNP составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)	FAIRCHILD
BDX34C	Транзистор биполярный SMD PNP составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)	ON SEMICONDUCTOR
BDX34C	Транзистор биполярный SMD PNP составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)	Fairchild Semiconductor
BDX34C	Транзистор биполярный SMD PNP составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)	КИТАЙ
BDX34C	Транзистор биполярный SMD PNP составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)	ST MICROELECTRONICS SEMI
BDX34C	Транзистор биполярный SMD PNP составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)	ST MICROELECTRO
TLE2141CP	Операционный усилитель пол. проп. 59МГц, вх 3,5мА / вых 50мА, 4-44В / 2-22В	TEXAS INSTRUMENTS
TLE2141CP	Операционный усилитель пол. проп. 59МГц, вх 3,5мА / вых 50мА, 4-44В / 2-22В
TLE2141CP	Операционный усилитель пол. проп. 59МГц, вх 3,5мА / вых 50мА, 4-44В / 2-22В	TEXAS
КД522Б	Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ		7 180	5.78
КД522Б	Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ	БРЕСТ	2 000	15.74
КД522Б	Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ	САРАНСК
КД522Б	Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ		7 180	5.78
КД522Б	Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ	П/П 1
КД522Б	Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ	ИНТЕГРАЛ
КД522Б	Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ	МИНСК
КД522Б	Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ	RUS
КД522Б	Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ	ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
КД522Б	Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ	СЗТП
КД522Б	Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ	ОРБИТА
КД522Б	Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ	ЦВЕТОТРОН
КД522Б	Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
КД522Б	Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ	ЦВЕТОТРОН (БРЕСТ)
КД522Б	Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ	РОССИЯ