NAND512W3A2DN6E
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Формат памяти | FLASH |
| Тип памяти | FLASH - NAND |
| Объем памяти | 512M (64M x 8) |
| Интерфейс подключения | Parallel |
| Напряжение питания | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Корпус (размер) | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| Корпус | 48-TSOP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
3314G-1-101E |
|
Подстроечный резистор 100 Ом | BOURNS | 1 584 | 46.75 | ||
|
|
3314G-1-101E |
|
Подстроечный резистор 100 Ом | Bourns Inc |
|
|
||
|
|
3314G-1-101E |
|
Подстроечный резистор 100 Ом |
|
|
|||
 |
3314G-1-102E |
|
Подстроечный резистор 1 кОм | BOURNS | 3 023 | 51.69 | ||
|
|
3314G-1-102E |
|
Подстроечный резистор 1 кОм | BOURNS |
|
|
||
|
|
3314G-1-102E |
|
Подстроечный резистор 1 кОм | Bourns Inc |
|
|
||
|
|
3314G-1-102E |
|
Подстроечный резистор 1 кОм |
|
118.80 | |||
 |
3314G-1-105E |
|
Подстроечный резистор 1M | BOURNS | 1 130 | 134.32 | ||
|
|
3314G-1-105E |
|
Подстроечный резистор 1M | Bourns Inc |
|
|
||
|
|
3314G-1-105E |
|
Подстроечный резистор 1M |
|
|
|||
 |
3314G-1-504E |
|
Подстроечный резистор 500 кОм | BOURNS | 929 | 37.03 | ||
|
|
3314G-1-504E |
|
Подстроечный резистор 500 кОм | Bourns Inc |
|
|
||
|
|
3314G-1-504E |
|
Подстроечный резистор 500 кОм |
|
|
|||
|
|
3314G-1-504E |
|
Подстроечный резистор 500 кОм | BOURNS * |
|
|
||
 |
 |
К155ИД1 |
|
Высоковольтный 4-разрядный дешифратор | 746 | 92.99 | ||
|
|
|
К155ИД1 |
|
Высоковольтный 4-разрядный дешифратор | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
К155ИД1 |
|
Высоковольтный 4-разрядный дешифратор | RUS |
|
|
|
|
|
|
К155ИД1 |
|
Высоковольтный 4-разрядный дешифратор | ИНТЕГРАЛ |
|
|
 | VIPER12A Современная ИС для импульсных источников питания. Компания STMicroelectronics,  разработала уникальную серию микросхем, объединив на... 84.56 руб Купить |
 | HDSP-7803 Семисигментный светодиодный индикатор серии micro bright, высота символа 7.62 мм (0.3") Купить |
 | BSH205 P-channel enhancement mode mos transistor Купить |
