FQP3N60

Версия для печати

Технические характеристики FQP3N60

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	QFET™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.6 Ohm @ 1.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	13nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	450pF @ 25V
Power - Max	75W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FQP3N60 (Мощные полевые МОП транзисторы)

600V N-Channel MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor
//www.fairchildsemi.com

FQP3N60 datasheet
570.73Kb
8стр.