|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
IRF530N |
|
Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF530N |
|
Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
IRF530N |
|
Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W
|
|
3 496
|
25.99
|
|
|
|
IRF530N |
|
Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
IRF530N |
|
Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRF530N |
|
Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
26
|
|
|
|
|
IRF530N |
|
Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRF530N |
|
Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W
|
1
|
|
|
|
|
|
IRF530N |
|
Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W
|
JSMICRO
|
565
|
27.21
|
|
|
|
LM2904 SO-8 |
|
|
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
80
|
38.25
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
ST MICROELECTRONICS
|
928
|
33.15
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
|
|
16.04
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
UTC
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
ГЕРМАНИЯ
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
HTC TAEJIN
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
1
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
IDCHIP
|
10 547
|
3.66
|
|
|
|
PIC18F2320-I/SP |
|
4Kx16 Flash 25I/O 40MHz
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
PIC18F2320-I/SP |
|
4Kx16 Flash 25I/O 40MHz
|
|
|
725.12
|
|
|
|
PIC18F2320-I/SP |
|
4Kx16 Flash 25I/O 40MHz
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
PIC18F2320-I/SP |
|
4Kx16 Flash 25I/O 40MHz
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
DC COMPONENTS
|
159 592
|
3.96
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
DIC
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
SMK
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
DIOTEC
|
79 148
|
4.43
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
MIC
|
106 856
|
1.01
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
YJ
|
1 006 671
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
|
16
|
9.60
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
HOTTECH
|
443 952
|
1.04
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
KLS
|
4
|
1.63
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
SEMTECH
|
8
|
7.79
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
TOS
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
0.00
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
YOUTAI
|
68 007
|
1.98
>100 шт. 0.99
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
KOME
|
8 000
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
YANGJIE
|
360 000
|
1.73
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
CJ
|
5 544
|
2.24
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
JINGDAO
|
1 865
|
1.91
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
TRR
|
416 000
|
1.48
>100 шт. 0.74
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
SUNMATE
|
68 160
|
1.82
>100 шт. 0.91
|
|