10МКФХ63В

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
TDA2822	УHЧ 15V, 1A, 2x0.65W (6V/4 Ом), Gv=39dB	ST MICROELECTRONICS
TDA2822	УHЧ 15V, 1A, 2x0.65W (6V/4 Ом), Gv=39dB		16	61.60
TDA2822	УHЧ 15V, 1A, 2x0.65W (6V/4 Ом), Gv=39dB	UTC
TDA2822	УHЧ 15V, 1A, 2x0.65W (6V/4 Ом), Gv=39dB	СИНГАПУР
TDA2822	УHЧ 15V, 1A, 2x0.65W (6V/4 Ом), Gv=39dB	ST1
TDA2822	УHЧ 15V, 1A, 2x0.65W (6V/4 Ом), Gv=39dB	ST MICROELECTRONICS SEMI
TDA2822	УHЧ 15V, 1A, 2x0.65W (6V/4 Ом), Gv=39dB	ST MICROELECTRO
TDA2822	УHЧ 15V, 1A, 2x0.65W (6V/4 Ом), Gv=39dB	STMICROELECTR
ДЖЕК 3,5 NI, МЕТ.
ДИНАМИКИ8ОМ-1,5ВТ
КР1056УП1			89	137.70
КР1056УП1		НУКЛОНАС
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		2	35.20
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК	7 886	34.00
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР МИНСК
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ЗПП МИНСК
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ-С