1206 330К 1%
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0805 1000PF NPO 5% 50V |
|
|
||||||
| 25LC256-I/SN |
|
ИМС память EEPROM SPI 32kx8 2,5-5 | MICRO CHIP | 1 120 | 113.65 | |||
| 25LC256-I/SN |
|
ИМС память EEPROM SPI 32kx8 2,5-5 | MICRO CHIP | 28 |
|
|||
| 25LC256-I/SN |
|
ИМС память EEPROM SPI 32kx8 2,5-5 | Microchip Technology |
|
|
|||
| 25LC256-I/SN |
|
ИМС память EEPROM SPI 32kx8 2,5-5 | MCP |
|
|
|||
| 25LC256-I/SN |
|
ИМС память EEPROM SPI 32kx8 2,5-5 |
|
|
||||
| 25LC256-I/SN |
|
ИМС память EEPROM SPI 32kx8 2,5-5 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 704 |
|
|||
 |
3296W-1-100 |
|
Подстроечный резистор 10R | BOURNS |
|
|
||
|
|
3296W-1-100 |
|
Подстроечный резистор 10R | BARONS |
|
|
||
|
|
3296W-1-100 |
|
Подстроечный резистор 10R |
|
|
|||
|
|
3296W-1-100 |
|
Подстроечный резистор 10R | BOURNS |
|
|
||
|
|
3296W-1-100 |
|
Подстроечный резистор 10R | Bourns Inc |
|
|
||
|
|
3296W-1-100 |
|
Подстроечный резистор 10R | КИТАЙ |
|
|
||
|
|
3296W-1-100 |
|
Подстроечный резистор 10R | BOCHEN | 1 168 | 22.46 | ||
| B32529-C6332-J | EPCS |
|
|
|||||
 |
 |
MJ-0-6 |
|
Перемычка шаг 2.54мм, 3А, 0.3Ом, до 650В |
|
|
 | КУ120А 22.68 руб Купить |
 | AD5232BRU100 2-канальный 8-битный цифровой потенциометр Купить |
 | TMA 1512D Dc/dc конвертер серии tma мощностью 1 ватт, нерегулируемый выходОсобенности: Компактный корпус SIP-6 Одно- и двух-выходные модели Напряжение изол... Купить |
