ST13009
Транзистор NPN 700V, 12A, 100W, 110nS
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 12A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 3A, 12A |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 8A, 5V |
| Power - Max | 100W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC338-25 | NXP |
|
|
||||
|
|
BC338-25 | 1 | 15.12 | |||||
|
|
BC338-25 | DC COMPONENTS |
|
|
||||
|
|
BC338-25 | NO TRADEMARK |
|
|
||||
 |
|
BC558B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP, 30В, 100мA | KEC |
|
|
|
|
|
|
BC558B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP, 30В, 100мA | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
BC558B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP, 30В, 100мA |
|
6.32 | ||
|
|
|
BC558B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP, 30В, 100мA | NXP |
|
|
|
|
|
|
BC558B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP, 30В, 100мA | Fairchild Semiconductor |
|
|
|
 |
ECAP 1000/25V 1020 105C RD |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ, 25 В | SAMWHA |
|
|
||
|
|
ECAP 1000/25V 1020 105C RD |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ, 25 В | YAGEO |
|
|
||
 |
|
SS8050 |
|
Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz | SAMSUNG |
|
|
|
|
|
|
SS8050 |
|
Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz | 16 109 |
1.86 >100 шт. 0.93 |
||
|
|
|
SS8050 |
|
Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz | CJ | 112 | 4.13 | |
|
|
|
SS8050 |
|
Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz | YJ |
|
|
|
|
|
|
SS8050 |
|
Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz | HOTTECH | 8 792 | 1 644.30 | |
| С2-29В-0,125-2 КОМ-0,1% |
|
|
