ОМЛТ-1-10К
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
6П6С |
|
Выходной лучевой тетрод | 8 | 441.60 | ||
|
|
|
6П6С |
|
Выходной лучевой тетрод | САРАТОВ |
|
|
|
| К50-24 63 В 470 МКФ |
|
|
||||||
 |
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | 2 | 37.00 | ||
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | ТРАНЗИСТОР |
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | МИНСК | 7 798 | 35.70 | |
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | ТРАНЗИСТОР МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | ЗПП МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | ИНТЕГРАЛ |
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | ИНТЕГРАЛ-С |
|
|
|
| ОМЛТ-1-510 ОМ-5% |
|
|
||||||
| С2-29В- 1 ВТ 2 МОМ 0.25% | 2 416 | 100.80 |
