С5-5В-8 47 ОМ 1%

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
10BQ040TR	SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB	VISHAY
10BQ040TR	SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB	INTERNATIONAL RECTIFIER
10BQ040TR	SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB			19.40
10BQ040TR	SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB	INTERNATIONAL RECTIFIER	56
10BQ040TR	SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB	Vishay/Semiconductors
10BQ040TR	SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB	SUNTAN
10BQ040TR	SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB	SMCMICRO	450	20.84
10BQ040TR	SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB	SMC
10BQ040TR	SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB	HOTTECH
10BQ040TR	SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB	KLS
10BQ040TR	SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB	LGE	3 322	10.90
5214NHH		EBM/PAPST
5214NHH
BYG10Y-TR		VISHAY
IRGPS40B120UDP	Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 80А 40кГц	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRGPS40B120UDP	Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 80А 40кГц			1 024.64
IRGPS40B120UDP	Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 80А 40кГц	США
IRGPS40B120UDP	Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 80А 40кГц	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
IRGPS40B120UDP	Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 80А 40кГц	INFINEON
PMD2412PMB1-A.[2].GN		SUNON	216	2 064.50
PMD2412PMB1-A.[2].GN				3 960.00