RLB0914-681KL

Индуктивность 680μH 0,4A 8,7x12mm

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
24LC512-I/P	Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8	MICRO CHIP	400	118.08
24LC512-I/P	Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8			220.00
24LC512-I/P	Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8	MICRO CHIP	25
24LC512-I/P	Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8	Microchip Technology
24LC512-I/P	Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
24LC512-I/P	Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
CC0805JRNPO9BN220	Керамический ЧИП конденсатор 22 пФ, NPO,200В, (5%), 0805			4.48
CC0805JRNPO9BN220	Керамический ЧИП конденсатор 22 пФ, NPO,200В, (5%), 0805	YAGEO	432 864	1.02 >100 шт. 0.51
CC0805JRNPO9BN220	Керамический ЧИП конденсатор 22 пФ, NPO,200В, (5%), 0805	YAGEO
CC0805KKX7R9BB334	Керамический конденсатор 0.33 мкФ 50 В	YAGEO	267 762	1.70 >100 шт. 0.85
CC0805KKX7R9BB334	Керамический конденсатор 0.33 мкФ 50 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
CC0805KKX7R9BB334	Керамический конденсатор 0.33 мкФ 50 В
IRLML6402TRPBF	P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRLML6402TRPBF	P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	INTERNATIONAL RECTIFIER	48
IRLML6402TRPBF	P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	INFINEON	35 840	7.87
IRLML6402TRPBF	P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А		6 328	8.70
IRLML6402TRPBF	P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	INFINEON
IRLML6402TRPBF	P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	HOTTECH
IRLML6402TRPBF	P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	KLS
IRLML6402TRPBF	P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	TR
IRLML6402TRPBF	P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	TRR	3 280	4.92
RC0805JR-0710R	Чип-резистор 0.125Вт, 0805, 5%, 10	YAGEO
RC0805JR-0710R	Чип-резистор 0.125Вт, 0805, 5%, 10	YAGEO