0805-0.125-510 (5%)

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
74HCT245D		PHILIPS
74HCT245D		NXP
74HCT245D			4	24.00
74HCT245D		NXP
74HCT245D		PHILIPS	1
74HCT245D		PHILIPS SEMIC
74HCT245D		TOS	138	53.75
CF SDC09W4 SD CARD	Разъем для карт памяти	AUK
CF SDC09W4 SD CARD	Разъем для карт памяти			182.40
PBSM-40	Прямоугольный разъем с цанговыми контактами с шагом 2.54мм для монтажа на плату	AUK
PBSM-40	Прямоугольный разъем с цанговыми контактами с шагом 2.54мм для монтажа на плату			74.72
PBSM-40	Прямоугольный разъем с цанговыми контактами с шагом 2.54мм для монтажа на плату	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
PBSM-40	Прямоугольный разъем с цанговыми контактами с шагом 2.54мм для монтажа на плату	CONNFLY
КМ555ИМ6			440	52.92
КМ555ИМ6		МИОН
КТ503А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		3 152	15.12
КТ503А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ	515	12.47
КТ503А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	АЛЕКСАНДРОВ
КТ503А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	БРЯНСК
КТ503А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК
КТ503А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ЭЛЕКС
КТ503А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ