| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
 |
470МКФ 35 (10X16)105°C |
|
Алюминиевый электролитический конденсатор 470мКФ, 35В, (10X16), 105°C ТК
|
|
|
|
|
 |
|
CD4093BE |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND SCHMITT TRIGGER -55/+125 C
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
CD4093BE |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND SCHMITT TRIGGER -55/+125 C
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
2 001
|
80.69
|
|
|
|
|
CD4093BE |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND SCHMITT TRIGGER -55/+125 C
|
|
3
|
120.00
|
|
|
|
|
CD4093BE |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND SCHMITT TRIGGER -55/+125 C
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
CD4093BE |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND SCHMITT TRIGGER -55/+125 C
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
CD4093BE |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND SCHMITT TRIGGER -55/+125 C
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
|
CD4093BE |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND SCHMITT TRIGGER -55/+125 C
|
TEXASINSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
CD4093BE |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND SCHMITT TRIGGER -55/+125 C
|
HARRIS
|
|
|
|
|
|
|
CD4093BE |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND SCHMITT TRIGGER -55/+125 C
|
HGSEMI
|
6 964
|
14.58
|
|
|
|
|
АЛ307БМ |
|
Cветодиод красный, круглый, матовый 5мм, 0.9мКд, 2В
|
|
2 692
|
40.95
|
|
|
|
|
АЛ307БМ |
|
Cветодиод красный, круглый, матовый 5мм, 0.9мКд, 2В
|
ПЛАНЕТА СИД
|
|
|
|
|
|
|
АЛ307БМ |
|
Cветодиод красный, круглый, матовый 5мм, 0.9мКд, 2В
|
СТАРТ
|
62
|
32.47
|
|
|
|
|
АЛ307БМ |
|
Cветодиод красный, круглый, матовый 5мм, 0.9мКд, 2В
|
ПЛАНЕТА-СИД
|
108
|
40.00
|
|
|
|
|
АЛ307БМ |
|
Cветодиод красный, круглый, матовый 5мм, 0.9мКд, 2В
|
ПРОТОН
|
|
|
|
|
|
|
АЛ307БМ |
|
Cветодиод красный, круглый, матовый 5мм, 0.9мКд, 2В
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
АЛ307БМ |
|
Cветодиод красный, круглый, матовый 5мм, 0.9мКд, 2В
|
ПЛАНЕТА
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
|
872
|
12.25
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
16.83
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
БРЯНСК
|
3 916
|
16.00
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
МЛТ-1-2,2 КОМ-5% |
|
|
|
722
|
7.20
|
|
Версия для печати
