|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
470МКФ 35 (10X16)105°C |
|
Алюминиевый электролитический конденсатор 470мКФ, 35В, (10X16), 105°C ТК
|
|
|
|
|
|
|
CD4093BE |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND SCHMITT TRIGGER -55/+125 C
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
CD4093BE |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND SCHMITT TRIGGER -55/+125 C
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
2 120
|
80.59
|
|
|
|
CD4093BE |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND SCHMITT TRIGGER -55/+125 C
|
|
1
|
126.00
|
|
|
|
CD4093BE |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND SCHMITT TRIGGER -55/+125 C
|
TEXAS
|
1 894
|
46.54
|
|
|
|
CD4093BE |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND SCHMITT TRIGGER -55/+125 C
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
CD4093BE |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND SCHMITT TRIGGER -55/+125 C
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
CD4093BE |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND SCHMITT TRIGGER -55/+125 C
|
TEXASINSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
CD4093BE |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND SCHMITT TRIGGER -55/+125 C
|
HARRIS
|
|
|
|
|
|
CD4093BE |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND SCHMITT TRIGGER -55/+125 C
|
HGSEMI
|
4 073
|
14.27
|
|
|
|
CD4093BE |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND SCHMITT TRIGGER -55/+125 C
|
XINBOLE
|
166
|
11.88
|
|
|
|
АЛ307БМ |
|
Cветодиод красный, круглый, матовый 5мм, 0.9мКд, 2В
|
|
1 457
|
43.06
|
|
|
|
АЛ307БМ |
|
Cветодиод красный, круглый, матовый 5мм, 0.9мКд, 2В
|
ПЛАНЕТА СИД
|
|
|
|
|
|
АЛ307БМ |
|
Cветодиод красный, круглый, матовый 5мм, 0.9мКд, 2В
|
СТАРТ
|
9 366
|
12.60
|
|
|
|
АЛ307БМ |
|
Cветодиод красный, круглый, матовый 5мм, 0.9мКд, 2В
|
ПЛАНЕТА-СИД
|
14
|
42.00
|
|
|
|
АЛ307БМ |
|
Cветодиод красный, круглый, матовый 5мм, 0.9мКд, 2В
|
ПРОТОН
|
|
|
|
|
|
АЛ307БМ |
|
Cветодиод красный, круглый, матовый 5мм, 0.9мКд, 2В
|
RUS
|
|
|
|
|
|
АЛ307БМ |
|
Cветодиод красный, круглый, матовый 5мм, 0.9мКд, 2В
|
ПЛАНЕТА
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
|
520
|
12.88
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
400
|
12.47
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
БРЯНСК
|
2 740
|
16.80
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
МИНСК
|
1 440
|
15.75
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
МЛТ-1-2,2 КОМ-5% |
|
|
|
727
|
7.56
|
|