2N5401 (КТ6116А)
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GRM31CR71H225K |
|
Керамический ЧИП конденсатор.2.2мкф X7R 10% 50В 1206 | MURATA |
|
|
||
|
|
GRM31CR71H225K |
|
Керамический ЧИП конденсатор.2.2мкф X7R 10% 50В 1206 |
|
|
|||
|
|
GRM31CR71H225K |
|
Керамический ЧИП конденсатор.2.2мкф X7R 10% 50В 1206 | ЯПОНИЯ |
|
|
||
 |
IRG4PC40W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
||
|
|
IRG4PC40W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный |
|
290.60 | |||
|
|
IRG4PC40W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный | МЕКСИКА |
|
|
||
|
|
IRG4PC40W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный | INFINEON |
|
|
||
| К10-17Б-Н90-0,22 МКФ |
|
|
||||||
| К73-17-63В-3.3МКФM |
|
|
||||||
 |
|
КТ851А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный | 390 | 89.25 | ||
|
|
|
КТ851А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный | КРЕМНИЙ | 26 | 79.05 | |
|
|
|
КТ851А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный | БРЯНСК | 512 | 112.00 | |
|
|
|
КТ851А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный | RUS |
|
|
