![]() |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Transistor Type | NPN |
Current - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 300mA, 1.5A |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 8 @ 1.2A, 2V |
Power - Max | 2W |
Frequency - Transition | 10MHz |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220D |
Корпус | TO-220D-A1 |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2SC2021 |
![]() |
70.00 | |||||
![]() |
2SC2021 | ROHM |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
2SC2021 | NO TRADEMARK |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
![]() |
КТ646А |
![]() |
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | КРЕМНИЙ | 311 | 48.45 | |
![]() |
![]() |
КТ646А |
![]() |
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | 674 | 31.50 | ||
![]() |
![]() |
КТ646А |
![]() |
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | БРЯНСК |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
КТ646А |
![]() |
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | МИНСК | 429 | 24.00 | |
![]() |
![]() |
КТ646А |
![]() |
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | RUS |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
КТ646А |
![]() |
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | ИНТЕГРАЛ |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
КТ646А |
![]() |
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | ТРАНЗИСТОР | 192 | 57.07 |
|
Корзина
|