2SK2847

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
2SK2847		246.36

Версия для печати

Технические характеристики 2SK2847

Корпус	TO-3P(N)IS
Корпус (размер)	2-16F1B
Тип монтажа	Выводной
Power - Max	85W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2040pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	58nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	8A
Drain to Source Voltage (Vdss)	900V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 Ohm @ 4A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

2SK2847 (Полевые МОП транзисторы)

N Channel Mos Type High Speed, High Current Switching, Dc-dc Converter and Motor Drive Applications)

Производитель:
Toshiba Semiconductor
//www.semicon.toshiba.co.jp

2SK2847 datasheet
288.88Kb
5стр.