Структура N-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В 30Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 25Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 20Корпус 2-5N1AПороговое напряжение на затворе 2
N Channel Mos Type (rf Power Mosfet For Vhf- and Uhf-band Power Amplifier)
Производитель: Toshiba Semiconductor //www.semicon.toshiba.co.jp