|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
AD8542ARZ |
|
2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...
|
ANALOG DEVICES
|
20 704
|
72.00
|
|
|
|
AD8542ARZ |
|
2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...
|
|
1 042
|
1.70
|
|
|
|
AD8542ARZ |
|
2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
AD8542ARZ |
|
2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...
|
ANALOG DEVICES
|
1
|
|
|
|
|
AD8542ARZ |
|
2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
AD8542ARZ |
|
2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...
|
США
|
|
|
|
|
|
AD8542ARZ |
|
2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
AD8542ARZ |
|
2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
AD8542ARZ |
|
2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...
|
YOUTAI
|
2 385
|
23.64
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
|
|
4.20
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
KEMET
|
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
NXP
|
626
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
PHILIPS
|
18 448
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
JSCJ
|
426 968
|
1.53
|
|
|
|
ECAPSMD 470/16V 1010 105C RC |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 16 В
|
SAMWHA
|
|
|
|
|
|
LM1117DT-1.8 |
|
ЛСН ``low drop`` (Vout=1.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM1117DT-1.8 |
|
ЛСН ``low drop`` (Vout=1.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM1117DT-1.8 |
|
ЛСН ``low drop`` (Vout=1.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
|
3
|
152.40
|
|
|
|
LM1117DT-1.8 |
|
ЛСН ``low drop`` (Vout=1.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM1117DT-1.8 |
|
ЛСН ``low drop`` (Vout=1.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
24
|
|
|
|
|
LM1117DT-1.8 |
|
ЛСН ``low drop`` (Vout=1.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM1117DT-1.8 |
|
ЛСН ``low drop`` (Vout=1.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
NS
|
20
|
150.00
|
|
|
|
Р1-3-25-49,9 ОМ-5% |
|
|
|
4 110
|
88.00
|
|