2С156Б
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LQH32MN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 190мА (1210) | 1 | 86.40 | ||||
| LQH32MN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 190мА (1210) | MURATA | 9 | 9.84 | |||
| LQH32MN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 190мА (1210) | MUR | 248 | 6.93 | |||
| RN55C1051FRE6 | DALE |
|
|
|||||
| RN55C1051FRE6 | DALE |
|
|
|||||
| RN55C1051FRE6 | Vishay/Dale |
|
|
|||||
| ДПМ-0.6-9 |
|
12.96 | ||||||
 |
КТ315Е | 3 455 | 7.20 | |||||
| КТ4-32-8/80ПФ |
|
|
||||||
| КТ4-32-8/80ПФ | ПСКОВ |
|
|
|||||
| КТ4-32-8/80ПФ | ПЛЕСКАВА |
|
|
